FDD3672
IC
TO-252AA
可供量大可议
FDD3672
特性：rDS(ON) = 24mΩ（典型值）， VGS = 10V， ID = 44A。 Qg(tot) = 24nC（典型值）， VGS = 10V。 低米勒电荷。 低Qrr体二极管。 高频下优化效率。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。 应用：DC/DC转换器和离线式UPS。 分布式电源架构和VRM
品牌
onsemi
封装
TO-252AA
库存
1,372
货期
现货
FDD3672参数
| 封装 | TO-252AA |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1372 |
FDD3672概述
特性：rDS(ON) = 24mΩ（典型值）， VGS = 10V， ID = 44A。 Qg(tot) = 24nC（典型值）， VGS = 10V。 低米勒电荷。 低Qrr体二极管。 高频下优化效率。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。 应用：DC/DC转换器和离线式UPS。 分布式电源架构和VRM
FDD3672特性
暂无产品特性。
FDD3672应用领域
暂无应用领域。