FDD306P-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FDD306P-HXY
该消费级N沟道MOSFET封装为TO-252-2L， 具备20V电压额定值及高达60A的连续电流处理能力， 专为高电流应用场景设计， 如电源转换、大功率负载控制， 实现高效能、低损耗开关操作。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
495
货期
现货
FDD306P-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 495 |
FDD306P-HXY概述
该消费级N沟道MOSFET封装为TO-252-2L， 具备20V电压额定值及高达60A的连续电流处理能力， 专为高电流应用场景设计， 如电源转换、大功率负载控制， 实现高效能、低损耗开关操作。
FDD306P-HXY特性
暂无产品特性。
FDD306P-HXY应用领域
暂无应用领域。