FDD2670
自营可供
IC
TO-252
FDD2670
此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计， 可以使用同步开关 PWM 控制器， 也可以使用传统开关 PWM 控制器。 与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比， 此类 MOSFET 开关速度更快， 门极电荷更低。 因此该 MOSFET 驱动简单， 也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此）， DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。
品牌
onsemi
封装
TO-252
交期
现货
批次
—
FDD2670参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W； 70W |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDD2670 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 8.5e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.228nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:200V 电流:3.6A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDD2670概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比, 这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是, 该MOSFET易于驱动且驱动更安全(即使在非常高的频率下), 并且能实现具有更高整体效率的DC/DC电源设计。
FDD2670特性
- 3.6 A、200 V。 在VGS = 10 V时, RDS(ON) = 130 mΩ
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 采用高性能沟槽技术, 实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
FDD2670应用领域
- 电机/车身负载控制
- 防抱死制动系统（ABS）
- 动力总成管理
- 喷射系统
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源（UPS）
- 分布式电源架构和电压调节模块（VRM）
- 12V和24V系统的初级开关