FDD2572-VB
IC
TO-252-2
可供量大可议
FDD2572-VB
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 极低的栅漏电荷 (Qgd)， 可降低开关损耗。 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试。 100% 进行雪崩测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。 应用：初级侧开关
品牌
VBsemi
封装
TO-252-2
库存
10
货期
现货
FDD2572-VB参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
FDD2572-VB概述
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 极低的栅漏电荷 (Qgd)， 可降低开关损耗。 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试。 100% 进行雪崩测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。 应用：初级侧开关
FDD2572-VB特性
暂无产品特性。
FDD2572-VB应用领域
暂无应用领域。