FDD1600N10ALZ(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
FDD1600N10ALZ(UMW)
特性：采用先进工艺生产， 可最大限度降低导通电阻并保持出色的开关性能。 漏源电压（VDS）：100V。 导通电阻（RDS(ON)）：当栅源电压（VGS）为10V时为124mΩ； 当栅源电压（VGS）为5V时为175mΩ。 低栅极电荷：典型值为2.78nC。 快速开关。 改善的dv/dt能力。 符合RoHS标准
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
1,905
货期
现货
FDD1600N10ALZ(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1905 |
FDD1600N10ALZ(UMW)概述
特性：采用先进工艺生产， 可最大限度降低导通电阻并保持出色的开关性能。 漏源电压（VDS）：100V。 导通电阻（RDS(ON)）：当栅源电压（VGS）为10V时为124mΩ； 当栅源电压（VGS）为5V时为175mΩ。 低栅极电荷：典型值为2.78nC。 快速开关。 改善的dv/dt能力。 符合RoHS标准
FDD1600N10ALZ(UMW)特性
暂无产品特性。
FDD1600N10ALZ(UMW)应用领域
暂无应用领域。