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FDD14AN06LA0-F085-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

FDD14AN06LA0-F085-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流50A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻11毫欧。 器件适用于中高功率开关场景, 如服务器电源模块、储能系统及大功率电机驱动。 其参数设计在电流承载能力与导通损耗间取得平衡, 支持高效电能转换。 在高频切换工况下, 该规格有助于降低热耗散, 满足高性能计算设备及精密电力电子装置对稳定性和能效的严格要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

FDD14AN06LA0-F085-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

FDD14AN06LA0-F085-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流50A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻11毫欧。 器件适用于中高功率开关场景, 如服务器电源模块、储能系统及大功率电机驱动。 其参数设计在电流承载能力与导通损耗间取得平衡, 支持高效电能转换。 在高频切换工况下, 该规格有助于降低热耗散, 满足高性能计算设备及精密电力电子装置对稳定性和能效的严格要求。

FDD14AN06LA0-F085-HXY特性

暂无产品特性。

FDD14AN06LA0-F085-HXY应用领域

暂无应用领域。

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