FDD10N20LZTM-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FDD10N20LZTM-HXY
该N沟道场效应管漏源击穿电压为200伏, 连续漏极电流9安培, 导通电阻290毫欧, 栅源耐压达30伏。 较高的耐压值使其适用于中高电压开关电路, 如适配器电源、LED驱动及电机控制模块。 器件在30伏栅极驱动下能稳定工作, 适合需要宽电压输入范围的电力转换设计, 有助于简化驱动电路并提升系统可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
47
货期
现货
FDD10N20LZTM-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
FDD10N20LZTM-HXY概述
该N沟道场效应管漏源击穿电压为200伏, 连续漏极电流9安培, 导通电阻290毫欧, 栅源耐压达30伏。 较高的耐压值使其适用于中高电压开关电路, 如适配器电源、LED驱动及电机控制模块。 器件在30伏栅极驱动下能稳定工作, 适合需要宽电压输入范围的电力转换设计, 有助于简化驱动电路并提升系统可靠性。
FDD10N20LZTM-HXY特性
暂无产品特性。
FDD10N20LZTM-HXY应用领域
暂无应用领域。
