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FDD10N20LZTM-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

FDD10N20LZTM-HXY

该N沟道场效应管漏源击穿电压为200伏, 连续漏极电流9安培, 导通电阻290毫欧, 栅源耐压达30伏。 较高的耐压值使其适用于中高电压开关电路, 如适配器电源、LED驱动及电机控制模块。 器件在30伏栅极驱动下能稳定工作, 适合需要宽电压输入范围的电力转换设计, 有助于简化驱动电路并提升系统可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

47

货期

现货

FDD10N20LZTM-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

FDD10N20LZTM-HXY概述

该N沟道场效应管漏源击穿电压为200伏, 连续漏极电流9安培, 导通电阻290毫欧, 栅源耐压达30伏。 较高的耐压值使其适用于中高电压开关电路, 如适配器电源、LED驱动及电机控制模块。 器件在30伏栅极驱动下能稳定工作, 适合需要宽电压输入范围的电力转换设计, 有助于简化驱动电路并提升系统可靠性。

FDD10N20LZTM-HXY特性

暂无产品特性。

FDD10N20LZTM-HXY应用领域

暂无应用领域。

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