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FDC8884-VB
IC

TSOP-6

可供量大可议

FDC8884-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道场效应管, 具有小型封装和低功耗特性, 采用Trench工艺制造。 适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。 SOT23-6; N—Channel沟道, 30V; 6A; RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=0.5~1.5V

品牌

VBsemi

封装

TSOP-6

库存

115

货期

现货

FDC8884-VB参数

封装TSOP-6
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存115

FDC8884-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道场效应管, 具有小型封装和低功耗特性, 采用Trench工艺制造。 适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。 SOT23-6; N—Channel沟道, 30V; 6A; RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=0.5~1.5V

FDC8884-VB特性

暂无产品特性。

FDC8884-VB应用领域

暂无应用领域。

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