FDC8884
IC
SuperSOT-6
可供量大可议
FDC8884
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造， 该工艺针对导通电阻（rDS(on)）和开关性能进行了优化。
品牌
onsemi
封装
SuperSOT-6
库存
733
货期
现货
FDC8884参数
| 封装 | SuperSOT-6 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 733 |
FDC8884概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造， 该工艺针对导通电阻（rDS(on)）和开关性能进行了优化。
FDC8884特性
暂无产品特性。
FDC8884应用领域
暂无应用领域。