FDC8601
IC
SSOT-6
可供量大可议
FDC8601
此N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造， 集成了屏蔽栅技术。 该工艺在导通电阻、开关性能和耐用性方面进行了优化。
品牌
onsemi
封装
SSOT-6
库存
15
货期
现货
FDC8601参数
| 封装 | SSOT-6 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
FDC8601概述
此N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造， 集成了屏蔽栅技术。 该工艺在导通电阻、开关性能和耐用性方面进行了优化。
FDC8601特性
暂无产品特性。
FDC8601应用领域
暂无应用领域。