FDC855N

此款 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是适合低电压和电池供电应用的高效方案此器件采用先进的 PowerTrench 工艺， 最大程度地降低了导通电阻， 从而优化功耗。 非常适合线内功率损耗至关重要的应用。