FDC658P-VB
IC
TSOP-6
可供量大可议
FDC658P-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域， 包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。 SOT23-6； P—Channel沟道, -30V； -4.8A； RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-0.5~-2V
品牌
VBsemi
封装
TSOP-6
库存
1,685
货期
现货
FDC658P-VB参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1685 |
FDC658P-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域， 包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。 SOT23-6； P—Channel沟道, -30V； -4.8A； RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-0.5~-2V
FDC658P-VB特性
暂无产品特性。
FDC658P-VB应用领域
暂无应用领域。