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FDC654P-VB
IC

TSOP-6

可供量大可议

FDC654P-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P沟道场效应晶体管, 采用Trench工艺, 适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域, 包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。 SOT23-6; P—Channel沟道, -30V; -4.8A; RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-0.5~-2V

品牌

VBsemi

封装

TSOP-6

库存

2,925

货期

现货

FDC654P-VB参数

封装TSOP-6
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2925

FDC654P-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P沟道场效应晶体管, 采用Trench工艺, 适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域, 包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。 SOT23-6; P—Channel沟道, -30V; -4.8A; RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-0.5~-2V

FDC654P-VB特性

暂无产品特性。

FDC654P-VB应用领域

暂无应用领域。

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