FDC642P

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持低门极电荷， 实现卓越的开关性能。 此类器件适用于无法采用更大封装的应用， 可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。