FDC638P
IC
SuperSOT-6
可供量大可议
FDC638P
此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持低门极电荷， 实现卓越的开关性能。 此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
品牌
onsemi
封装
SuperSOT-6
库存
69
货期
现货
FDC638P参数
| 封装 | SuperSOT-6 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 69 |
FDC638P概述
此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持低门极电荷， 实现卓越的开关性能。 此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
FDC638P特性
暂无产品特性。
FDC638P应用领域
暂无应用领域。