FDC6321C

这些双N和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 该器件专为低压应用而设计， 可替代负载开关应用中的数字晶体管。 由于不需要偏置电阻， 这种双数字FET可以替代多个具有不同偏置电阻的数字晶体管。