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FDC6312P-VB
IC

TSOP-6

可供量大可议

FDC6312P-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双通道P型MOSFET, 采用Trench工艺, 具有良好的性能稳定性和可靠性, 适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块, 如电源管理、电动车控制和工业自动化等领域。 SOT23-6; 2个P—Channel沟道, -20V; -4A; RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=-0.5~-2V

品牌

VBsemi

封装

TSOP-6

库存

470

货期

现货

FDC6312P-VB参数

封装TSOP-6
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存470

FDC6312P-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双通道P型MOSFET, 采用Trench工艺, 具有良好的性能稳定性和可靠性, 适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块, 如电源管理、电动车控制和工业自动化等领域。 SOT23-6; 2个P—Channel沟道, -20V; -4A; RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=-0.5~-2V

FDC6312P-VB特性

暂无产品特性。

FDC6312P-VB应用领域

暂无应用领域。

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