FDC6301N-VB
IC
TSOP-6
可供量大可议
FDC6301N-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于小功率和低电流的应用场景。 SOT23-6； 2个N—Channel沟道, 20V； 6A； RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.4~1.5V
品牌
VBsemi
封装
TSOP-6
库存
1,225
货期
现货
FDC6301N-VB参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1225 |
FDC6301N-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于小功率和低电流的应用场景。 SOT23-6； 2个N—Channel沟道, 20V； 6A； RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.4~1.5V
FDC6301N-VB特性
暂无产品特性。
FDC6301N-VB应用领域
暂无应用领域。