FDC608PZ

这款指定 2.5 V 的 P 沟道 MOSFET 采用安森美半导体（onsemi）先进的 POWERTRENCH 工艺制造， 该工艺经过特别优化， 可最大限度降低导通电阻， 同时保持较低的栅极电荷， 以实现卓越的开关性能。 这些器件非常适合电池供电应用， 如负载开关和电源管理、电池供电电路以及直流 - 直流转换。