FDC5661N-VB
IC
TSOP-6
可供量大可议
FDC5661N-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于便携式设备、智能家居、医疗设备等领域。 SOT23-6； N—Channel沟道, 60V； 7A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TSOP-6
库存
150
货期
现货
FDC5661N-VB参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 150 |
FDC5661N-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于便携式设备、智能家居、医疗设备等领域。 SOT23-6； N—Channel沟道, 60V； 7A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
FDC5661N-VB特性
暂无产品特性。
FDC5661N-VB应用领域
暂无应用领域。