FDC3601N
自营可供
IC
SuperSOT-6
FDC3601N
此类 N 沟道 100V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持低门极电荷， 实现卓越的开关性能。 此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用， 可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
品牌
onsemi
封装
SuperSOT-6
交期
现货
批次
—
FDC3601N参数
| 封装 | SuperSOT-6 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 960mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDC3601N |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 4.1e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 输入电容(Ciss) | 153pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
| 商品名称 | FDC3601N |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDC3601N概述
这些额定电压为100V的N沟道MOSFET采用安森美半导体先进的PowerTrench工艺制造, 该工艺经过特别优化, 可在降低导通电阻的同时保持较低的栅极电荷, 以实现出色的开关性能。 这些器件专为在极小的占位面积内实现卓越的功率耗散而设计, 适用于采用体积更大、成本更高的SO - 8和TSSOP - 8封装不切实际的应用场景。
FDC3601N特性
- 1.0 A, 100 V。 VGS = 10 V时, RDS(ON) = 500 mΩ
- VGS = 6.0 V时, RDS(ON) = 550 mΩ
- 低栅极电荷(典型值3.7nC)
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术, 实现极低的RDS(ON)
- SuperSOT
- 6封装:占位面积比标准SO
- 8小72%
- 低外形(厚度1mm)
FDC3601N应用领域
- 负载开关
- 电池保护
- 电源管理