FDBL86366-F085
IC
HPSOF-8
可供量大可议
FDBL86366-F085
特性：典型RDS(on)=2.4 mΩ， VGS = 10 V， ID = 80 A。 典型Qg(tol)=86 C， VGS = 10 V， ID = 80 A。 UIS能力。 AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件为无铅器件， 符合RoHS标准。 应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
品牌
onsemi
封装
HPSOF-8
库存
45
货期
现货
FDBL86366-F085参数
| 封装 | HPSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
FDBL86366-F085概述
特性：典型RDS(on)=2.4 mΩ， VGS = 10 V， ID = 80 A。 典型Qg(tol)=86 C， VGS = 10 V， ID = 80 A。 UIS能力。 AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件为无铅器件， 符合RoHS标准。 应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
FDBL86366-F085特性
暂无产品特性。
FDBL86366-F085应用领域
暂无应用领域。