FDBL86361-F085
IC
HPSOF-8
可供量大可议
FDBL86361-F085
特性：典型RDS(on) = 1.1 mΩ， VGS = 10V， ID = 80 A。 典型Qg(tot) = 172 nC， VGS = 10V， ID = 80 A。 UIS能力。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准。 应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
品牌
onsemi
封装
HPSOF-8
库存
1
货期
现货
FDBL86361-F085参数
| 封装 | HPSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 耗散功率(Pd) | 429W |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 139pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDBL86361-F085 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00118 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 12.8nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 1.925nF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:80V 电流:300A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDBL86361-F085概述
特性：典型RDS(on) = 1.1 mΩ， VGS = 10V， ID = 80 A。 典型Qg(tot) = 172 nC， VGS = 10V， ID = 80 A。 UIS能力。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准。 应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
FDBL86361-F085特性
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下, 典型RDS(on) = 1.1 mΩ
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下, 典型Qg(tot) = 172 nC
- 具有非钳位感应开关(UIS)能力
- 通过AEC-Q101认证, 可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品, 符合RoHS标准
FDBL86361-F085应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 集成式启动发电机
- 12 V系统主开关