FDBL86066-F085
IC
HPSOF-8
可供量大可议
FDBL86066-F085
特性：典型导通电阻RDS(on)：在VGS = 10 V、ID = 80 A时为3.3 mΩ。 典型总栅极电荷Qg(tot)：在VGS = 10 V、ID = 80 A时为47 nC。 具有UIS能力。 通过AEC Q101认证。 这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准。 应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
品牌
onsemi
封装
HPSOF-8
库存
37
货期
现货
FDBL86066-F085参数
| 封装 | HPSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 37 |
FDBL86066-F085概述
特性：典型导通电阻RDS(on)：在VGS = 10 V、ID = 80 A时为3.3 mΩ。 典型总栅极电荷Qg(tot)：在VGS = 10 V、ID = 80 A时为47 nC。 具有UIS能力。 通过AEC Q101认证。 这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准。 应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
FDBL86066-F085特性
暂无产品特性。
FDBL86066-F085应用领域
暂无应用领域。