FDB8832
IC
D2PAK(TO-263)
可供量大可议
FDB8832
特性：典型导通电阻rDS(on)：在VGS = 5V、ID = 80A时为1.5mΩ。 典型总栅极电荷Qg(5)：在VGS = 5V时为100nC。 低米勒电荷。 低Qrr体二极管。 具备UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。 符合RoHS标准。 应用：起动机/交流发电机系统。 电子动力转向系统
品牌
onsemi
封装
D2PAK(TO-263)
库存
1
货期
现货
FDB8832参数
| 封装 | D2PAK(TO-263) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
FDB8832概述
特性：典型导通电阻rDS(on)：在VGS = 5V、ID = 80A时为1.5mΩ。 典型总栅极电荷Qg(5)：在VGS = 5V时为100nC。 低米勒电荷。 低Qrr体二极管。 具备UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。 符合RoHS标准。 应用：起动机/交流发电机系统。 电子动力转向系统
FDB8832特性
暂无产品特性。
FDB8832应用领域
暂无应用领域。