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FDB86102LZ-VB
IC

TO-263(D2PAK)

可供量大可议

FDB86102LZ-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极性N型MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于电机驱动器、电源模块、焊接设备等领域。 TO263; N—Channel沟道, 100V; 70A; RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

品牌

VBsemi

封装

TO-263(D2PAK)

库存

25

货期

现货

FDB86102LZ-VB参数

封装TO-263(D2PAK)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存25

FDB86102LZ-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极性N型MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于电机驱动器、电源模块、焊接设备等领域。 TO263; N—Channel沟道, 100V; 70A; RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

FDB86102LZ-VB特性

暂无产品特性。

FDB86102LZ-VB应用领域

暂无应用领域。

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