FDB3632-VB
自营可供
IC
TO-263(D2PAK)
FDB3632-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域， 为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。 TO263； N—Channel沟道, 100V； 140A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
交期
现货
批次
—
FDB3632-VB参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:140A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
| 商品型号 | FDB3632-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.002305 |
FDB3632-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域， 为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。 TO263； N—Channel沟道, 100V； 140A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
FDB3632-VB特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻新型封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET