FDB3632
IC
D2PAK-3
可供量大可议
FDB3632
N 沟道， PowerTrench MOSFET， 100V， 80A， 9m?， 这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC， 卓越的软反向恢复本征体二极管性能， 开关速度快， 可大幅提高同步整流的效率。
品牌
onsemi
封装
D2PAK-3
库存
1
货期
现货
FDB3632参数
| 封装 | D2PAK-3 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDB3632 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00227 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 6nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 820pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:80A 电流:12A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDB3632概述
此 N 沟道 MOSFET 采用先进的 Power Trench 工艺生产， 这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
FDB3632特性
- RDS(ON) = 7.5 mΩ(典型值), VGS = 10 V, ID = 80 A
- Qg(tot) = 84 nC(典型值), VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
FDB3632应用领域
- 同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动器和不间断电源
- 微型太阳能逆变器