FDB2572-JSM
IC
TO-263
可供量大可议
FDB2572-JSM
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：35A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：45mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
TO-263
库存
200
货期
现货
FDB2572-JSM参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
FDB2572-JSM概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：35A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：45mR @20A, 10V
FDB2572-JSM特性
暂无产品特性。
FDB2572-JSM应用领域
暂无应用领域。