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FDB15N50-VB
IC

TO-263(D2PAK)

可供量大可议

FDB15N50-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型MOSFET, 采用Plannar技术制造, 适用于各种高压应用场景。 TO263; N—Channel沟道, 650V; 18A; RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V

品牌

VBsemi

封装

TO-263(D2PAK)

库存

87

货期

现货

FDB15N50-VB参数

封装TO-263(D2PAK)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存87

FDB15N50-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型MOSFET, 采用Plannar技术制造, 适用于各种高压应用场景。 TO263; N—Channel沟道, 650V; 18A; RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V

FDB15N50-VB特性

暂无产品特性。

FDB15N50-VB应用领域

暂无应用领域。

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