FDB12N50F-VB
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
FDB12N50F-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率场效应晶体管， 采用Plannar技术， 适用于高性能功率电子应用。 TO263； N—Channel沟道, 650V； 12A； RDS(ON)=650mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=3~5V
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
10
货期
现货
FDB12N50F-VB参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
FDB12N50F-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率场效应晶体管， 采用Plannar技术， 适用于高性能功率电子应用。 TO263； N—Channel沟道, 650V； 12A； RDS(ON)=650mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=3~5V
FDB12N50F-VB特性
暂无产品特性。
FDB12N50F-VB应用领域
暂无应用领域。