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FDB070AN06A0-F085-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

FDB070AN06A0-F085-HXY

这款N沟道场效应管专为大电流应用场景打造, 具备60V的耐压能力, 可承载80A的持续电流。 其核心优势在于极低的导通电阻, 能有效降低能量损耗与发热, 确保电路运行的高效与稳定。 它常被用作大电流负载开关, 精准控制如高性能照明、散热模组或各类直流电器的通断。 在电池管理系统中, 它能作为核心保护开关, 确保充放电过程的安全与稳定。 此外, 其快速的响应特性也使其适用于各类低压开关电源与逆变设备, 实现高效的电能转换。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

23

货期

现货

FDB070AN06A0-F085-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

FDB070AN06A0-F085-HXY概述

这款N沟道场效应管专为大电流应用场景打造, 具备60V的耐压能力, 可承载80A的持续电流。 其核心优势在于极低的导通电阻, 能有效降低能量损耗与发热, 确保电路运行的高效与稳定。 它常被用作大电流负载开关, 精准控制如高性能照明、散热模组或各类直流电器的通断。 在电池管理系统中, 它能作为核心保护开关, 确保充放电过程的安全与稳定。 此外, 其快速的响应特性也使其适用于各类低压开关电源与逆变设备, 实现高效的电能转换。

FDB070AN06A0-F085-HXY特性

暂无产品特性。

FDB070AN06A0-F085-HXY应用领域

暂无应用领域。

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