FDB035AN06A0
自营可供
IC
D2PAK
FDB035AN06A0
N 沟道 PowerTrench MOSFET 60 V， 80 A， 3.5 mΩ此款最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC 和软反向恢复本征体二极管性能， 开关速度快， 可大幅提高同步整流的效率。
品牌
onsemi
封装
D2PAK
交期
现货
批次
—
FDB035AN06A0参数
| 封装 | D2PAK |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC |
| 反向传输电容(Crss) | 367pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDB035AN06A0 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00218 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 6.4nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 1.123nF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:80A 电流:22A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDB035AN06A0概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列， 采用电荷平衡技术， 具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 该技术旨在最大限度地降低传导损耗， 提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。 因此， SuperFET II MOSFET非常适合用于开关电源应用， 如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
FDB035AN06A0特性
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下, RDS(on) = 3.2 mΩ(典型值)
- 在VGS = 10 V条件下, QG(tot) = 95 nC(典型值)
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具有UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
FDB035AN06A0应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源