FDB0260N1007L
IC
TO-263-7
可供量大可议
FDB0260N1007L
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻， 同时保持出色的坚固性和开关性能。
品牌
onsemi
封装
TO-263-7
库存
3
货期
现货
FDB0260N1007L参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
FDB0260N1007L概述
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻， 同时保持出色的坚固性和开关性能。
FDB0260N1007L特性
暂无产品特性。
FDB0260N1007L应用领域
暂无应用领域。