FDB0250N807L
IC
TO-263-7
可供量大可议
FDB0250N807L
此 N-沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench 工艺生产， 这一先进工艺是专为最小化工业应用的导通电阻并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。
Brand
onsemi
Package
TO-263-7
Stock
15
货期
现货
FDB0250N807LParameters
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
FDB0250N807L概述
此 N-沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench 工艺生产， 这一先进工艺是专为最小化工业应用的导通电阻并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。
FDB0250N807L特性
暂无产品特性。
FDB0250N807L应用领域
暂无应用领域。