FDA24N50F-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备500V的漏源击穿电压（VDSS）和28A的连续漏极电流（ID）能力， 适用于较高电压环境下的功率控制。 导通时典型导通电阻（RDON）为150毫欧， 能够在保证性能的同时有效控制功耗。 器件采用成熟封装与制造工艺， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适用于电源适配器、开关电源、照明驱动以及各类中高压电子系统中的高频开关应用场合。