FCX789ATA
IC
SOT-89
可供量大可议
FCX789ATA
特性：BVCEO > -25V。 Ic = -3A 高连续电流。 Icm = -8A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -320mV @ -3A。 hFE 指定高达 -8A， 以保持高电流增益。 互补 NPN 类型：FCX688B。 无铅表面处理； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 可靠性高
品牌
DIODES
封装
SOT-89
库存
50
货期
现货
FCX789ATA参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
FCX789ATA概述
特性：BVCEO > -25V。 Ic = -3A 高连续电流。 Icm = -8A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -320mV @ -3A。 hFE 指定高达 -8A， 以保持高电流增益。 互补 NPN 类型：FCX688B。 无铅表面处理； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 可靠性高
FCX789ATA特性
暂无产品特性。
FCX789ATA应用领域
暂无应用领域。