FCX591ATA
IC
SOT-89
可供量大可议
FCX591ATA
特性：BVCEO >-40V。 最大连续电流 IC =-1A。 低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-1A。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 低损耗功率开关
品牌
DIODES
封装
SOT-89
库存
5
货期
现货
FCX591ATA参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
FCX591ATA概述
特性：BVCEO >-40V。 最大连续电流 IC =-1A。 低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-1A。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 低损耗功率开关
FCX591ATA特性
暂无产品特性。
FCX591ATA应用领域
暂无应用领域。