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FCX555TA
IC

SOT-89

可供量大可议

FCX555TA

特性:BVCEO > -150V。 BVCEV > -180V。 IC = -700mA 高连续集电极电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -100mA。 互补 NPN 型。 无铅涂层; 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑, “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准

品牌

DIODES

封装

SOT-89

库存

73

货期

现货

FCX555TA参数

封装SOT-89
品牌DIODES(美台)
MOQ / SPQ1 / 1
分类三极管(BJT)
库存73

FCX555TA概述

特性:BVCEO > -150V。 BVCEV > -180V。 IC = -700mA 高连续集电极电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -100mA。 互补 NPN 型。 无铅涂层; 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑, “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准

FCX555TA特性

暂无产品特性。

FCX555TA应用领域

暂无应用领域。

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