FCPF150N65F-HXY

本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）低至110mΩ， 有助于降低导通损耗并提升系统能效。 栅源电压范围为-4V至+18V， 支持稳定的驱动控制与过压保护。 依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性， 器件具备优异的高温工作稳定性、快速开关能力及抗雪崩性能。 适用于高频率功率变换电路、高效能源转换装置、不间断电源系统以及要求高耐压、低损耗的电力电子拓扑结构中的核心开关应用。