FCPF099N65S3-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有24A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压， 导通电阻为95mΩ， 栅源电压工作范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料优势， 在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗， 并具备良好的高温工作能力。 适用于高效率电源系统、可再生能源转换设备以及对热管理与体积有较高要求的功率电子模块， 有助于实现紧凑且高效的电路设计。