FCPF067N65S3-VB
IC
TO-220F
可供量大可议
FCPF067N65S3-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO220F； N—Channel沟道； 650V； 36A； RDS(ON)=75(mΩ)@VGS=10V； VGS=±30V； Vth=3.5V； 采用SJ_Multi-EPI技术
Brand
VBsemi
Package
TO-220F
Stock
5
货期
现货
FCPF067N65S3-VBParameters
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
FCPF067N65S3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO220F； N—Channel沟道； 650V； 36A； RDS(ON)=75(mΩ)@VGS=10V； VGS=±30V； Vth=3.5V； 采用SJ_Multi-EPI技术
FCPF067N65S3-VB特性
暂无产品特性。
FCPF067N65S3-VB应用领域
暂无应用领域。