FCP850N80Z
IC
TO-220
可供量大可议
FCP850N80Z
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列， 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻， 以及更低门极电荷方面的卓越性能。 此工艺专用于最大程度降低导电损耗， 提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。 另外， 内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。 因此， SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用， 如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
品牌
onsemi
封装
TO-220
库存
50
货期
现货
FCP850N80Z参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 800V |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 0.74pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FCP850N80Z |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00268 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 710mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.315nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:800V 电流:8A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FCP850N80Z概述
SuperFET® II MOSFET是全新的高压超结(SJ)MOSFET系列, 采用电荷平衡技术, 具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 该技术旨在最大程度降低传导损耗, 提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。 此外, 内部栅源ESD二极管可承受超过2kV的HBM浪涌应力。 因此, SuperFET II MOSFET非常适用于音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源等开关电源应用。
FCP850N80Z特性
- 典型RDS(on) = 710 mΩ(典型值)
- 超低栅极电荷(典型Qg = 22 nC)
- 低Eoss(典型值2.3 μJ @ 400V)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff. ) = 106 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 增强ESD能力
FCP850N80Z应用领域
- 交流
- 直流电源
- LED照明