FCP190N65S3R0-HXY

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻低至165mΩ， 适用于高效率功率转换设计。 栅源电压范围为-10V至+25V， 支持稳定可靠的栅极驱动控制。 基于碳化硅材料的特性， 器件具备优异的开关性能和高温工作能力， 可有效降低系统损耗。 典型应用包括高压电源、DC-DC变换器、光伏逆变系统及储能装置中的高频功率拓扑， 适合对能效和功率密度有较高要求的电力电子场景。