FCP125N65S3R0-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压， 导通电阻为94mΩ， 在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。 器件利用碳化硅材料特性， 具备优异的高频开关性能与高温稳定性， 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统， 如服务器电源、通信电源及可再生能源逆变器等场景， 能够有效降低导通与开关损耗， 提升整体能效表现。