FCP125N65S3R0
自营可供
IC
TO-220
FCP125N65S3R0
FCP125N65S3R0
品牌
onsemi
封装
TO-220
交期
现货
批次
—
FCP125N65S3R0参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 耗散功率(Pd) | 181W |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
| 商品名称 | FCP125N65S3R0 |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.94nF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | FCP125N65S3R0 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00357 |
FCP125N65S3R0概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结(SJ)MOSFET系列, 采用电荷平衡技术, 具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗, 提供卓越的开关性能, 并能承受极高的dv/dt速率。 因此, SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰(EMI)问题, 使设计实现更加轻松。
FCP125N65S3R0特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 105 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 46 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff. ) = 439 pF)
- 100%雪崩测试
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR), 符合RoHS标准
FCP125N65S3R0应用领域
- 电信/服务器电源-工业电源-不间断电源(UPS)/太阳能