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SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列， 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻， 以及更低门极电荷方面的卓越性能。 此工艺专用于最大程度降低导电损耗， 提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。 因此， SuperFET II MOSFET easy-drive 系列与 SuperFET II MOSFET 系列相比， 提供了略慢的升降时间。 此系列通过“E”零件编号后缀表示， 有助于管理 EMI 问题， 和简化设计实施。 对于必须绝对保证开关损耗最小的更快开关应用中， 请考虑 SuperFET II MOSFET 系列。