FCMT099N65S3-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
FCMT099N65S3-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压， 导通电阻低至94mΩ， 可在栅源电压范围-10V至+25V内可靠运行。 得益于碳化硅材料的高临界电场强度和热导率， 器件在高频开关条件下仍保持较低的导通与开关损耗， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备， 有助于提升系统整体性能与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
8
货期
现货
FCMT099N65S3-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
FCMT099N65S3-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压， 导通电阻低至94mΩ， 可在栅源电压范围-10V至+25V内可靠运行。 得益于碳化硅材料的高临界电场强度和热导率， 器件在高频开关条件下仍保持较低的导通与开关损耗， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备， 有助于提升系统整体性能与可靠性。
FCMT099N65S3-HXY特性
暂无产品特性。
FCMT099N65S3-HXY应用领域
暂无应用领域。