FCMT080N65S3-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
FCMT080N65S3-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压， 导通电阻为75mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 基于碳化硅材料特性， 器件在高频工作时表现出优异的开关速度与低损耗性能， 适用于高效率电源转换系统。 其低导通电阻有助于减少功率损耗， 提升整体能效， 并支持紧凑型电路布局与良好的热管理。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
36
货期
现货
FCMT080N65S3-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36 |
FCMT080N65S3-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压， 导通电阻为75mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 基于碳化硅材料特性， 器件在高频工作时表现出优异的开关速度与低损耗性能， 适用于高效率电源转换系统。 其低导通电阻有助于减少功率损耗， 提升整体能效， 并支持紧凑型电路布局与良好的热管理。
FCMT080N65S3-HXY特性
暂无产品特性。
FCMT080N65S3-HXY应用领域
暂无应用领域。