FCHD190N65S3R0-F155-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流能力， 漏源击穿电压为800V， 导通电阻为165mΩ， 栅源电压工作范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料特性， 在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗， 适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对热性能和空间布局有严苛要求的电力电子应用。 其负向栅压耐受能力有助于提升关断可靠性。